Микросхемы Brilliance Semiconductor Inc от Атос

- стабильность выбора и качества электронных компонентов
Телефон (многоканальный): (495) 280-03-81; Мобильный: 8 (967) 227-38-35

Brilliance Semiconductor Inc. (BSI) – стремительно развивающаяся молодая компания производящая высокотехнологичную память SRAM. SRAM от Brilliance сконструированы по передовому 0,13 мкм процессу с диапазоном ёмкостей от 256 K до 16 М и в корпусах от PDIP до первого в промышленности корпуса STSOP для SRAM. Более подробную информацию можно узнать на http://www.bsi.com.tw/


Новинка! 16 МВ маломощная низковольтная память SRAM



Основные свойства:


  • Широкий диапазон рабочих напряжений 2,4 В – 5,5 В
  • Малое время доступа 55 нс при напряжении Vcc=3В
  • Низкая мощность потребления:
- 3 мкА в статике при питании 3 В
- 15 мкА в статике при питании 5 В
- 3 мА при питании 3 В и тактовой частоте 1 МГц
- 7 мА при питании 5 В и тактовой частоте 1 МГц

Brilliance постоянно работает над расширением своего ассортимента и список поставляемых линеек памяти насчитывет сотни наименований, ниже в таблице даны параметры только для Асинхронной 32 Кх8 памяти :

Наименование
Скорость
(нс)
Рабочее напряжение
Vcc
Icc Рабочий ток
Iccsb1 Ток покоя
Тип корпуса
f=1 МГц
f=10 МГц
f=f max
Обычно
Com-диапазон
Ind-диапазон
150
1.8~3.6В
-
-
15мА
0.005мкА
0.1мкА
0.3мкА
DICE,PDIP-28,
SOJ-28,
SOP-28,TSOP-28
70
2.4~5.5В
-
-
25мА
0.01мкА
0.2мкА
0.4мкА
DICE,PDIP-28,
SOJ-28,
SOP-28,TSOP-28
70
2.4~3.6В
-
-
25мА
0.01мкА
0.2мкА
0.4мкА
DICE,PDIP-28,
SOJ-28,
SOP-28,TSOP-28
55/70
4.5~5.5В
-
-
40мА
0.4мкА
1.0мкА
2.0мкА
DICE,PDIP-28,
SOJ-28, SOP-28,
TSOP-28



Для выбора необходимого типа памяти удобно пользоваться нижерасположенной схемой: