Микросхемы Brilliance Semiconductor Inc от Атос

Brilliance Semiconductor Inc. (BSI) – стремительно развивающаяся молодая компания производящая высокотехнологичную память SRAM. SRAM от Brilliance сконструированы по передовому 0,13 мкм процессу с диапазоном ёмкостей от 256 K до 16 М и в корпусах от PDIP до первого в промышленности корпуса STSOP для SRAM. Более подробную информацию можно узнать на http://www.bsi.com.tw/

• Широкий диапазон рабочих напряжений 2,4 В – 5,5 В
• Малое время доступа 55 нс при напряжении Vcc=3В
• Низкая мощность потребления:

- 3 мкА в статике при питании 3 В
- 15 мкА в статике при питании 5 В
- 3 мА при питании 3 В и тактовой частоте 1 МГц
- 7 мА при питании 5 В и тактовой частоте 1 МГц

Brilliance постоянно работает над расширением своего ассортимента и список поставляемых линеек памяти насчитывет сотни наименований, ниже в таблице даны параметры только для Асинхронной 32 Кх8 памяти :

Наименование	Скорость (нс)	Рабочее напряжение	Vcc	Icc Рабочий ток			Iccsb1 Ток покоя			Тип корпуса
				f=1 МГц	f=10 МГц	f=f max	Обычно	Com-диапазон	Ind-диапазон
BS62UV256	150	1.8~3.6В	2В	-	-	15мА	0.005мкА	0.1мкА	0.3мкА	DICE,PDIP-28, SOJ-28, SOP-28,TSOP-28
BS62LV256	70	2.4~5.5В	3В	-	-	25мА	0.01мкА	0.2мкА	0.4мкА	DICE,PDIP-28, SOJ-28, SOP-28,TSOP-28
BS62LV2563	70	2.4~3.6В	3В	-	-	25мА	0.01мкА	0.2мкА	0.4мкА	DICE,PDIP-28, SOJ-28, SOP-28,TSOP-28
BS62LV2565	55/70	4.5~5.5В	5В	-	-	40мА	0.4мкА	1.0мкА	2.0мкА	DICE,PDIP-28, SOJ-28, SOP-28, TSOP-28