Микросхемы и полупопроводниковые приборы Supertex

- стабильность выбора и качества электронных компонентов
Телефон (многоканальный): (495) 280-03-81; Мобильный: 8 (967) 227-38-35

Supertex, Inc. - компания производитель полупроводниковых приборов и микросхем, строящая свой бизнес на основе технологических разработок в области высоковольтной аналоговой и аналогоцифровой электроники. Приоритетными являются схемы обеспечивающие интерфейс между низковольтными логическими блоками и высоковольтными устройствами. Компания разрабатывает, производит на своих мощностях и продаёт высоковольтные полупроводники и интегральные схемы для телекоммуникационных, сетевых, медицинских и промышленных приложений Более подробную информацию можно узнать на http://www.supertex.com/






Особый интерес для российского рынка представляют следующие изделия:
1. Драйверы пьезоэлектрических генераторов акустических волн для медицины и неразрушающего контроля в промышленности


TC7320 – усовершенствованный драйвер высоковольтного напряжения для пьзоэлектрических генераторов акустических волн с шестью парами согласованных DMOS FET с вертикальной структурой транзисторов N- и P-проводимости обеспечивает управление низковольтными сигналами системы, требующие управления высоким напряжением.



Сферы приложения:
Пьезоэлектрические генераторы, высоковольтные пульсаторы, усилители, буферы, преобразователи уровней напряжения


  • N-канал обеспечивает +200В, P-канал обеспечивает -200В
  • 1 А выходного пикового тока достаточен для генерации пьезоэлектриком акустических волн с временами спада-нарастания 20 нс обеспечивающих хорошую картину объекта
  • низкое входное сопротивление снижает время задержки сигнала и уменьшает длительность фронтов
  • сопротивление открытых каналов N и P не более 20 Ом
  • интегрированные резисторы и стабилитроны уменьшают размер аппаратуры
  • рабочий диапазон температур от -55ºС до +150ºС
  • отсутствуют вторичные выбросы
  • отсутствуют термоутечки и вторичный термоперегрев
  • высокий коэффициент полезного действия
  • компактный 32-выодный корпус LQFP
    Схема использования 1/2 TC7320 для акустического пьезогенератора

    TC6320 – драйвер высоковольтного напряжения для пьзоэлектрических генераторов акустических волн с согласованной парой DMOS FET с вертикальной структурой транзисторов N- и P-проводимости обеспечивает управление низковольтными сигналами системы, требующие управления высоким напряжением.




    Сферы приложения: Пьезоэлектрические генераторы, высоковольтные пульсаторы, усилители, буферы, преобразователи уровней напряжения


    • N-канал обеспечивает до +200В, P-канал обеспечивает до -200В
    • 2 А выходного пикового тока достаточен для генерации пьезоэлектриком акустических волн с временами спада-нарастания 20 нс обеспечивающих хорошую картину объекта
    • низкое входное сопротивление снижает время задержки сигнала и уменьшает длительность фронтов
    • сопротивление открытых каналов N и P не более 8 Ом
    • интегрированные резисторы и стабилитроны уменьшают размер аппаратуры
    • рабочий диапазон температур от -55ºС до +150ºС
    • отсутствуют вторичные выбросы
    • отсутствуют термоутечки и вторичный термоперегрев
    • высокий коэффициент полезного действия
    • компактный 8-выодный корпус SO



      Схема применения TG6320TG


      TC2320 – драйвер высоковольтного напряжения для пьзоэлектрических генераторов акустических волн с согласованной парой DMOS FET с вертикальной структурой транзисторов N- и P-проводимости обеспечивает управление низковольтными сигналами системы, требующие управления высоким напряжением.
      Схема аналогична TC6320, но отсутствуют встроенные резисторы и стабилитроны.

      Сферы приложения: Пьезоэлектрические генераторы, высоковольтные пульсаторы, усилители, буферы, преобразователи уровней напряжения.



      MD1711- двухканальный, пятиуровневый, высоковольтный и высокоскоростной драйвер сопряжения с логикой для медицинского ультразвукового оборудования и приборов неразрушающего контроля. Два канала для управления от стандартной логики.

      С TC6320 или с TC7320 составляет полный драйвер пьезоэлектрических генераторов.




      Основные свойства:
      · генерирует пятиуровневые импульсы
      · двухканальное решение в одном корпусе экономит пространство на плате
      · управляемое время задержки повышает точность фокусировки акустического луча
      · до 20 МГц выходная частота обеспечивает высокое разрешение изображения
      · низкие потери тока
      · от 1.8 В до 3.3 В CMOS логический интерфейс обеспечивает совместимость с DSP преобразователями
      · управляет 12-тью высоковольтными MOSFET транзисторами
      · поставляется в 48-выводном корпусе LQFP








      MD1210 – драйвер сопряжения с логикой двух высоковольтных транзисторов-драйверов напряжения для медицинского ультразвукового оборудования и приборов неразрушающего контроля.


      Основные свойства:
      · 6 нс время нарастанияспада фронтов импульсов на нагрузке 1000 пФ
      · управление от логических CMOS с напряжением от 1,2 В до 5 В
      · от 4,5 В до 13 В общее напряжение питания
      · гибкое адаптирование к уровням логических сигналов
      · выходы могут подключаться «на землю»
      · низкая индуктивность корпуса
      · термостойкий корпус
      · возможность выключения выходных каналов
      · компактный 12-выводный корпус QFN (4ммх4ммх0,9мм)



      TP5322– P-канальный усовершенствованный высоковольтный (нормально-закрытый) транзистор вертикальной DMOS-структуры для управления пьезоэлектрическими генераторами и сопряжения низковольтных сигналов с высоковольтными линиями.
      TN2124 – N-канальный усовершенствованный высоковольтный (нормально-открытый) транзистор вертикальной DMOS-структуры для управления пьезоэлектрическими генераторами и сопряжения низковольтных сигналов с высоковольтными линиями.

      Основные свойства TP5322 и TN2124:

      · низкий порог управляющего напряжения – 2,4 В максимум
      · высокое входное сопротивление
      · низкая входная ёмкость 110 пФ максимум
      · высокая скорость включения-выключения 15 нс
      · низкое сопротивление во включённом режиме 12 Ом
      · коммутируемое напряжение -220В
      · коммутируемый ток не менее 0,7А
      · диапазон рабочих температур от -55 С до +150 С
      · отсутствие вторичных выбросов
      · низкие токи утечки по входу и выходу
      · имеет комплементарную N-канальную пару TN2124
      · два типа корпусов SOT-243 и SOT-23

Полная номенклатура изделий Supertex



2N6660
N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
2N6661 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
2N7000 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
2N7002 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
2N7008 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
AN01 8-канальный Мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
AN0116 8-канальный мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
AN0120 8-канальный мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
AN0130 8-канальный мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
AN0132 8-канальный мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
AN0140 8-канальный мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
AP01 8-канальный мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
AP0116 8-канальный мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
AP0120 8-канальный мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
AP0130 8-канальный мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
AP0132 8-канальный мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
AP0140 8-канальный мощный MOSFET Монолитный массив N-канальных обогащённых транзисторов
DN2530 N-канальный Обеднённый вертикальной структуры DMOSFET транзистор
DN2535 N-канальный Обеднённый вертикальной структуры DMOSFET транзистор
DN2540 N-канальный Обеднённый вертикальной структуры DMOSFET транзистор
DN3125 N-канальный Обеднённый вертикальной структуры DMOSFET транзистор
DN3135 N-канальный Обеднённый вертикальной структуры DMOSFET транзистор
DN3145 N-канальный Обеднённый вертикальной структуры DMOSFET транзистор
DN3525 N-канальный Обеднённый вертикальной структуры DMOSFET транзистор
DN3535 N-канальный Обеднённый вертикальной структуры DMOSFET транзистор
DN3545 N-канальный Обеднённый вертикальной структуры DMOSFET транзистор
HT01 8-канальный Транслятор логических уровней в высоковольтное напряжение
HT0130 8-канальный Транслятор логических уровней в высоковольтное напряжение
HT0440 Двухканальный Высоковольтный изолированный MOSFET Драйвер
HT0638 Переключатель линий коммуникаций
HT0740 Высоковольтный изолированный MOSFET Драйвер
HT18 Переключатель для телефонных линий
HV100 трёхвыводный «горячего подключения», с ограничителем пускового тока контроллер
HV101 трёхвыводный «горячего подключения», с ограничителем пускового тока контроллер
HV20220 С низкой инжекцией заряда 8-канальный Высоковольтный аналоговый ключ
HV20320 С низкой инжекцией заряда 8-канальный Высоковольтный аналоговый ключ
HV20720 Двухканальный с демультиплексором 1:4 высоковольтный аналоговый ключ
HV20822 16-канальный Высоковольтный аналоговый ключ
HV209 12-канальный Высоковольтный аналоговый ключ
HV214 250 В С низкой инжекцией заряда 8-канальный Высоковольтный аналоговый ключ
HV232 с низкой инжекцией заряда 8-канальный высоковольтный аналоговый ключ с резисторами гашения обратных импульсов
HV300 «горячего подключения», С ограничителем пускового токаs
HV301 «горячего подключения», Контроллерs with Circuit Breaker
HV302 Последовательной обработки «горячего подключения» Контроллер
HV311 »горячего подключения», Контроллерwith Circuit Breaker
HV312 Последовательной обработки «горячего подключения» Контроллерs
HV3137 64-канальный преобразователь низковольтных последовательных логических сигналов в высоковольтные параллельные с открытым стоком
HV3418 64-канальный преобразователь низковольтных последовательных логических сигналов в высоковольтные параллельные с двухтактным выходом
HV3922 Высоковольтный PIN Диодов Драйвер
HV430 Высоковольтный Генератор «звонка»
HV440 Высоковольтный Генератор «звонка»
HV441 Высоковольтный Генератор «звонка»
HV450 Высоковольтный Генератор «звонка»
HV4530 32-канальный последовательных сигналов в параллельные с P-канальным транзистором с открытым стоком
HV4630 32-канальный последовательных сигналов в параллельные с P-канальным транзистором с открытым стоком
HV506 275 В 40-канальный Драйвер строк с SCR выходами
HV507 300 В, 64-канальный последовательных сигналов в параллельные с высоковольтными двухтактными выходами преобразователь
HV508 Высоковольтный Драйвер для ЖКИ
HV510 240V, 12-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с высоковольтными двухтактными выходами
HV5122 32-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с выходами с открытым коллектором
HV513 8-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с сысоковольтными двухтактными выходами, POL, Hi-Z и ShortCircuit детектирование
HV514 высоковольтный 8-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь
HV518 32-канальный ваккуум-флуорисцентных дисплеев драйвер
HV5222 32-канальный последовательных сигналов в параллельные с выходами с открытым коллектором преобразователь
HV5308 32-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с высоковольтными двухтактными выходами
HV5408 32-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с высоковольтными двухтактными выходами
HV5522 32-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с высоковольтными двухтактными выходами
HV5530 32-канальный последовательных сигналов в параллельные с выходами с открытым коллектором преобразователь
HV5622 32-канальный последовательных сигналов в параллельные с выходами с открытым коллектором преобразователь
HV5630 32-канальный последовательных сигналов в параллельные с выходами с открытым коллектором преобразователь
HV57009 64-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с P-канальными транзисторами с открытым коллектором выходами с управлением выходного тока
HV574 100 МГц, 80-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с двухтактными выходами
HV57708 32 МГц, 64-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с двухтактными выходами
HV57908 8 МГц, 64-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с двухтактными выходами
HV5812 20-канальный с последовательным входом ваккуум-флуорисцентных дисплеев драйвер для анод/сетки
HV583 128-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с двухтактными выходами
HV6008 32-канальный 40 В жидкокристаллических дисплеев драйвер строк
HV62208 32-канальный 256-уровневый Gray-Shade высоковольтный драйвер
HV623 32-канальный 128-уровневый Gray-Shade ЖКИ дисплеев драйвер колонок
HV66 32-канальный драйвер ЖКИ с выходом расширения каналов
HV6810 10-канальный с последовательным входом с защёлкой драйвер дисплеев
HV7022 34-канальный симметричных строк драйвер
HV7224 40-канальный симметричных строк драйвер
HV7620 40 МГц, 32-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с двухтактными выходами
HV809 автономный высоковольтный электролюминесцентных ламп драйвер
HV823 высоковольтный электролюминесцентных ламп драйвер
HV825 высоковольтный электролюминесцентных ламп драйвер
HV826 высоковольтный электролюминесцентных ламп драйвер
HV830 высоковольтный электролюминесцентных ламп драйвер
HV832 двухканальный высоковольтный, малошумящий электролюминесцентных ламп драйвер
HV833 высоковольтный электролюминесцентных ламп драйвер
HV857 высоковольтный электролюминесцентных ламп драйвер для малошумящих приложений
HV9100 высоковольтный импульсный контроллерs с MOSFET
HV9102 высоковольтный импульсный контроллерs с MOSFET
HV9103 высоковольтный импульсный контроллерs с MOSFET
HV9105 высоковольтный импульсный контроллерs с MOSFET
HV9108 высоковольтный импульсный контроллерs с MOSFET
HV9110 высоковольтный ШИМ-контроллер с токовым режимом
HV9112 высоковольтный ШИМ-контроллер с токовым режимом
HV9113 высоковольтный ШИМ-контроллер с токовым режимом
HV9120 высоковольтный ШИМ-контроллер с токовым режимом
HV9123 высоковольтный ШИМ-контроллер с токовым режимом
HV9308 32-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с высоковольтными двухтактными выходами
HV9408 32-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с высоковольтными двухтактными выходами
HV9605 высоковольтный ШИМ контроллер с токовым режимом для ISDN оборудованием
HV9606 ШИМ контроллер с токовым режимом с супервизором
HV9708 32-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с высоковольтными двухтактными выходами
HV9808 32-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с высоковольтными двухтактными выходами
HV9901 универсальный драйвер электромагнитных реле
HV9903 белых светодиодов драйвер
HV9904 многорежимный контроллер
HV9906 Простой автономный/PFC более 9В DC/DC переключатель
IRF510 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
IRF511 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
IRF512 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
IRF513 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
IRF520 N -канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
IRF521 N -канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
IRF522 N -канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
IRF523 N -канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
IRF531 N -канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
IRF9521 P -канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
IRF9522 P -канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
IRF9523 P -канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
LND150 N-канальный обеднённый MOSFET транзистор
LND250 N-канальный обеднённый MOSFET транзистор
LP0701 P-канальный обогащённый вертикальной структуры MOSFET транзистор
LR645 высоковольтный импульсный источник питания / линейный регулятор
LR745 высоковольтный импульсный регулятор напряжения
LR8 высоковольтный подстраиваемый 3-выводный линейный регулятор
MD1210 драйвер сопряжения с логикой двух высоковольтных транзисторов-драйверов напряжения для медицинского ультразвукового оборудования и приборов неразрушающего контроля.
MD1711 двухканальный, пятиуровневый, высоковольтный и высокоскоростной драйвер сопряжения с логикой для медицинского ультразвукового оборудования и приборов неразрушающего контроля. Два канала для управления от стандартной логики. С TC6320 или с TC7320 составляет полный драйвер пьезоэлектрических генераторов
R531 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
R9521 P-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
R9522 P-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
R9523 P-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
RBHV5308 32-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с высоковольтными двухтактными выходами
RBHV57009 64-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с P-канальными выходными транзисторами с открытым коллектором и с управляемым выходным током
RBHV57708 32 МГц, 64-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с двухтактным выходом
RBHV57908 8 МГц, 64-канальный последовательных сигналов в параллельные преобразователь с двухтактными выходами
RBHV7022 34-канальный симметричных строк драйвер
RBHV7224 40-канальный симметричных строк драйвер
SR036 безиндуктивный, двухканальный регулятор напряжения с автономными выходами
SR037 безиндуктивный, двухканальный регулятор напряжения с автономными выходами
TC2320 N- и P-канальный обогащённый двухканальный MOSFET транзистор
TC2320 драйвер высоковольтного напряжения для пьзоэлектрических генераторов акустических волн с согласованной парой DMOS FET с вертикальной структурой транзисторов N- и P-проводимости обеспечивает управление низковольтными сигналами системы, требующие управления высоким напряжением. Схема аналогична TC6320, но отсутствуют встроенные резисторы и стабилитроны
TC6320 драйвер высоковольтного напряжения для пьзоэлектрических генераторов акустических волн с согласованной парой DMOS FET с вертикальной структурой транзисторов N- и P-проводимости обеспечивает управление низковольтными сигналами системы, требующие управления высоким напряжением
TC7320 усовершенствованный драйвер высоковольтного напряжения для пьзоэлектрических генераторов акустических волн с шестью парами согласованных DMOS FET с вертикальной структурой транзисторов N- и P-проводимости обеспечивает управление низковольтными сигналами системы, требующие управления высоким напряжением
TD9944 двухканальный N-проводимости обогащённый вертикальной структуры DMOS FET транзистор
TN0104 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN0106 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN0110 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN0604 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN0606 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN0610 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN0620 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN0702 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2106 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2124 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2124 N-канальный усовершенствованный высоковольтный (нормально-открытый) транзистор вертикальной DMOS-структуры для управления пьезоэлектрическими генераторами и сопряжения низковольтных сигналов с высоковольтными линиями
TN2130 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2425 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2435 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2501 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2504 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2510 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2524 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2535 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2540 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN2640 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN5325 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TN5335 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
TP0604 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP0606 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP0610 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP0620 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP07 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP0702 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP2104 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP2424 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP2435 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP2502 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP2510 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP2520 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP2522 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP2535 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP2540 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP2635 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP2640 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
TP5322 P-канальный усовершенствованный высоковольтный (нормально-закрытый) транзистор вертикальной DMOS-структуры для управления пьезоэлектрическими генераторами и сопряжения низковольтных сигналов с высоковольтными линиями.
TP5335 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VC0206 комплементарный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET массив из четырёх транзисторов
VN0104 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VN0106 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VN0109 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET массив из четырёх транзисторов
VN02 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
VN0204 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FETsЎЎ
VN0206 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET массив из четырёх транзисторов
VN0210 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET массив из четырёх транзисторов
VN0216 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET массив из четырёх транзисторов
VN0220 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET массив из четырёх транзисторов
VN0240 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET массив из четырёх транзисторов
VN03 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
VN0300 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
VN0335 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
VN0360 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
VN0550 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN0606 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN0808 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN10 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN11 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
VN1106 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
VN1110 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
VN1116 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
VN1120 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
VN12 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VN1204 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET транзистор
VN1206 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN1210 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VN1216 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VN1220 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VN13 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VN1316 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VN1320 N-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VN1550 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN2106 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN2110 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN22 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN2204 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN2206 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN2210 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN2222 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN2224 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN2406 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN2410 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN2450 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN2460 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN3205 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN3515 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN4012 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS FET
VN6035 N-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP0104 P-канальный обогащённый вертикальной структуры DMOSFET
VP0106 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VP0109 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VP02 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP0204 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP0206 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP0210 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP0216 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP0220 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP0550 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VP0808 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VP1106 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP1110 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP1116 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP1120 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP11A P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP11C P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP12 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP12 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP12 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP1204 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP1206 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP1210 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP1216 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP1220 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP13 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP1316 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP1320 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOS мощный FET
VP1506 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VP1509 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VP1550 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VP2106 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VP2110 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VP2450 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET
VP3203 P-канальный Обогащённый Вертикальной структуры DMOSFET

Таблица N-канальных DMOS транзисторов Supertex

Наиме- нование Максимальное напряжение BVDSS

Сопротивление во включённом состоянии
RDS(ON)
Входная ёмкость CISS
типовая


Входное Напряже-ние VGS(th)
Max
Корпус SOT-23


Корпус TO-39


Корпус TO-92


Корпус SOT-89


2N6660 60 В 3 Ом 50 Пф 2 В
*

2N6661 90 В 4 Ом 50 Пф 2 В
*

2N7000 60 В 5 Ом 60 Пф 3 В

*
2N7002 60 В 7.5 Ом 50 Пф 2.5 В *


2N7008 60 В 7.5 Ом 50 Пф 2.5 В

*
TN0104 40 В 1.8 Ом 50 Пф 1.6 В

* *
TN0106 60 В 3 Ом 50 Пф 2 В

*
TN0110 100 В 3 Ом 50 Пф 2 В

*
TN0604 40 В 0.75 Ом 140 Пф 1.6 В

*
TN0606 60 В 1.5 Ом 100 Пф 2 В

*
TN0610 100 В 1.5 Ом 100 Пф 2 В

*
TN0620 200 В 6 Ом 110 Пф 1.6 В

*
TN0702 20 В 1.3 Ом 130 Пф 1 В

*
TN1506 60 В 3 Ом 50 Пф 2 В



TN1510 100 В 3 Ом 50 Пф 2 В



TN2106 60 В 2.5 Ом 45 Пф 2 В *
*
TN2124 240 В 15 Ом 38 Пф 1.8 В *


TN2130 300 В 25 Ом 35 Пф 2.4 В *


TN2425 250 В 3.5 Ом 105 Пф



*
TN2435 350 В 6 Ом 200 Пф



*
TN2501 18 В 2.5 Ом 70 Пф 1 В


*
TN2504 40 В 1 Ом 70 Пф 1.6 В


*
TN2510 100 В 1.5 Ом 70 Пф 2 В


*
TN2524 240 В 6 Ом 65 Пф 2 В


*
TN2535 350 В 10 Ом 125 Пф 2 В


*
TN2540 400 В 12 Ом 95 Пф 2 В

* *
TN2640 400 В 5 Ом 180 Пф 2 В

*
TN5325 250 В 7 Ом 70 Пф 2 В *
* *
TN5335 350 В 15 Ом 65 Пф 2 В *

*
VN0104 40 В 3 Ом 35 Пф 2.4 В

*
VN0106 60 В 3 Ом 55 Пф 2.4 В

*
VN0300 30 В 1.2 Ом 190 Пф 2.5 В

*
VN0550 500 В 60 Ом 45 Пф 4 В

*
VN0606 60 В 3 Ом 50 Пф 2 В

*
VN0808 80 В 4 Ом 50 Пф 2 В

*
VN10K 60 В 5 Ом 60 Пф 2.5 В

*
VN1206 120 В 6 Ом 125 Пф 2 В

*
VN1506 60 В 3 Ом 55 Пф 2.4 В



VN1509 90 В 3 Ом 55 Пф 2.4 В



VN1550 500 В 60 Ом 45 Пф 4 В



VN2106 60 В 4 Ом 35 Пф 2.4 В

*
VN2110 100 В 4 Ом 35 Пф 2.4 В *


VN2210 100 В 0.35 Ом 300 Пф 2.4 В
* *
VN2222L 60 В 7.5 Ом 60 Пф 2.5 В

*
VN2224 240 В 1.25 Ом 300 Пф 3 В

*
VN2406 240 В 6 Ом 125 Пф 2 В

*
VN2410 240 В 10 Ом 125 Пф 2 В

*
VN2450 500 В 13 Ом 150 Пф


* *
VN2460 600 В 20 Ом 150 Пф


* *
VN3205 50 В 0.3 Ом 220 Пф 2.4 В

* *
VN3515 350 В 15 Ом 110 Пф 1.8 В

*
VN4012 400 В 12 Ом 110 Пф 1.8 В

*